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FDMS3604S
2个N沟道 耐压:30V 电流:23A 电流:13A
- 描述
- 此器件在一个双 PQFN 封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率能效。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3604S
- 商品编号
- C464158
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A；23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W；2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V；1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V；66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.785nF@15V；4.31nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@15V；155pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个1个/圆盘
总价金额：
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