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FDG8842CZ
耐压:25V 电流:0.41A
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- 描述
- 此类 N 和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET 而设计的。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG8842CZ
- 商品编号
- C464156
- 商品封装
- SOT-323-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 410mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.68nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 70pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道和P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代双极型数字晶体管和小信号MOSFET。由于无需偏置电阻，这款双数字FET可替代多个不同偏置电阻值的数字晶体管。
商品特性
- Q1:N沟道
- VGS = 4.5 V、ID = 0.75 A时,最大rDS(on) = 0.4 Ω
- VGS = 2.7 V、ID = 0.67 A时,最大rDS(on) = 0.5 Ω
- Q2:P沟道
- VGS = -4.5 V、ID = -0.41 A时,最大rDS(on) = 1.1 Ω
- VGS = -2.7 V、ID = -0.25 A时,最大rDS(on) = 1.5 Ω
- 栅极驱动要求极低,允许在3V电路中直接工作(VGS(th) < 1.5 V)
- 采用超小封装SC70 - 6
- 符合RoHS标准