商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,1.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 505pF@20V |
商品概述
这款功率MOSFET采用沟槽技术制造，专门设计用于降低栅极电荷和导通电阻。该器件适用于对栅极电荷驱动要求较低或对导通电阻要求较低的应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 4V驱动
- 薄型封装
- 栅极有ESD二极管保护
- 无铅且符合RoHS标准
- 符合无卤标准：VEC2415-TL-W
应用领域
- 电机驱动器
- DC/DC转换器