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UMC5NT1G

描述: 此款双 PNP 双极数字晶体管包含一个具有单片偏置网络的晶体管，该网络由两个电阻组成：串联基极电阻和基极-发射极电阻。此类数字晶体管设计用于替代单个器件及其外部电阻器偏置网络。该双 PNP 双极数字晶体管将独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。在 UMC2NT1 系列中，两个器件都采用 SOT-353 封装，非常适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: UMC5NT1G
商品编号: C464140
商品封装: SOT-353
包装方式: 编带
商品毛重: 0.03克(g)

商品参数

商品概述

偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络，即一个基极串联电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中消除了它们。在UMC2NT1G系列中，两个互补的BRT器件封装在SOT - 353封装中，这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用而言是理想之选。

商品特性

简化电路设计
减少电路板空间
减少元件数量
提供8 mm、7英寸/ 3000个单位的卷带包装
适用于汽车及其他需要特定产地和变更控制要求的应用的NSV前缀；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	数字晶体管
	数量	1个PNP-预偏置,1个NPN
	集射极击穿电压(Vceo)	50V

	属性	参数值
	集电极电流(Ic)	100mA
	耗散功率(Pd)	150mW
	工作温度	-65℃~+150℃