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NTB6413ANT4G
1个N沟道 耐压:100V 电流:42A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTB6413ANT4G
- 商品编号
- C464090
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用了仙童半导体先进的功率沟槽工艺，具备坚固耐用的栅极结构。它针对电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 当栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 16.5 A 时，最大漏源导通电阻 (rDS(on)) = 5 mΩ
- 当栅源电压 (VGS) = 4.5 V、漏极电流 (ID) = 14 A 时，最大漏源导通电阻 (rDS(on)) = 6.4 mΩ
- 低外形高度——Power 33封装最大高度为1 mm
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流转换