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FDMS7620S
2个N沟道 耐压:30V 电流:12.4A 电流:10.1A
- 描述
- 此器件在一个独特的双 Power 56 封装内包括了两个专用 MOSFET。它提供了能效和 PCB 利用率方面优化的同步降压功率级。该低开关损耗“高压侧”MOSFET 由低导通损耗“低压侧”SyncFET 提供互补。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7620S
- 商品编号
- C463958
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.109克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A；22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.2mΩ@4.5V,10.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.21W；2.51W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V；23nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 608pF@15V；1.4nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@15V；477pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
该器件在独特的双Power 56封装中集成了两个专用MOSFET。其旨在从效率和PCB利用率方面提供最佳的同步降压功率级。低开关损耗的“高端”MOSFET与低传导损耗的“低端”同步场效应晶体管（SyncFET）互补。
商品特性
- Q1：N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 10.1 A时，最大rDS(on) = 20.0 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 7.5 A时，最大rDS(on) = 30.0 mΩ
- Q2：N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 12.4 A时，最大rDS(on) = 11.2 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 10.9 A时，最大rDS(on) = 14.2 mΩ
- 引脚布局针对简单的PCB设计进行了优化
- 热效率高的双Power 56封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 用于以下场景的同步降压转换器：
- 笔记本电脑系统电源
- 通用负载点