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MMSF3P02HDR2G
1个P沟道 耐压:20V 电流:5.6A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMSF3P02HDR2G
- 商品编号
- C464030
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V,3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 490pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET具有超低的导通电阻RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换向模式下的高能量，并且漏源二极管具有极短的反向恢复时间。这些器件专为对电源效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 超低导通电阻RDS(on)，可提高效率并延长电池续航时间
- 逻辑电平栅极驱动，可由逻辑IC驱动
- 微型SO - 8表面贴装封装，节省电路板空间
- 二极管特性适用于桥式电路
- 二极管具有高速特性和软恢复功能
- 规定了高温下的漏源极截止电流IDSS
- 规定了雪崩能量
- 这是一款无铅器件
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、手机和无绳电话）的电源管理
- 大容量存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制