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FDS3572
1个N沟道 耐压:80V 电流:8.9A
- 描述
- N 沟道，PowerTrench MOSFET，80 V，8.9 A，16 mΩ
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS3572
- 商品编号
- C463964
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- rDS(ON) = 14 mΩ(典型值),VGS = 10 V,ID = 8.9 A
- Qg(tot) = 31 nC(典型值),VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低QRR体二极管
- 高频下效率优化
- 具有UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
应用领域
-隔离式DC/DC转换器的初级开关-分布式电源和中间总线架构-直流总线转换器的高压同步整流器