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FQA13N80-F109
1个N沟道 耐压:800V 电流:12.6A
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- 描述
- 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA13N80-F109
- 商品编号
- C463976
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V,6.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专利平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 12.6 A、800 V，RDS（on） = 750 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V，ID = 6.3 A
- 低栅极电荷（典型值68 nC）
- 低Crss（典型值30 pF）
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正（PFC）
- 电子灯镇流器