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FDMC7660DC
1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC7660DC
- 商品编号
- C463948
- 商品封装
- DualCool-33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.074克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.17nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造。结合了硅技术和Dual Cool™封装技术的优势，在保持出色开关性能的同时，实现了极低的导通电阻rDS(on)，且具有极低的结到环境热阻。
商品特性
- Dual CoolTM顶部散热PQFN封装
- VGS = 10 V、ID = 22 A时,最大rDS(on) = 2.2 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 18 A时,最大rDS(on) = 3.3 mΩ
- 高性能技术,实现极低的rDS(on)
- 同步场效应晶体管肖特基体二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 电信二次侧整流
- 高端服务器/工作站