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FDMC86340ET80
FDMC86340ET80
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86340ET80
- 商品编号
- C463952
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.775nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
N-channel MOSFETs are fabricated using Fairchild's advanced PowerTrench process, which incorporates shielded gate technology. This process is optimized to reduce on-resistance while maintaining excellent switching performance.
商品特性
- Extended TJ rating to 175°C
- Shielded gate MOSFET technology
- Maximum rDS(on) = 6.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 14 A
- Maximum rDS(on) = 8.5 mΩ at VGS = 8 V, ID = 12 A
- High-performance technology enables extremely low rDS(on)
- Lead-free terminals
- RoHS compliant
应用领域
- DC-DC conversion