温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMC86340ET80
FDMC86340ET80
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86340ET80
- 商品编号
- C463952
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.775nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
N通道MOSFET采用了飞兆的先进PowerTrench工艺制造而成,该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻,却仍保持卓越的开关性能。
商品特性
- 扩展额定TJ至175°C
- 屏蔽栅极MOSFET技术
- 最大值rDS(on) = 6.5 mΩ, 在VGS = 10 V, ID = 14 A时
- 最大值rDS(on) = 8.5 mΩ, 在VGS = 8 V, ID = 12 A时
- 高性能技术可实现极低的rDS(on)
- 终端为无铅产品
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换