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FDMC86184
1个N沟道 耐压:100V 电流:57A
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- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86184
- 商品编号
- C463951
- 商品封装
- PQFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,21A | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.09nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道中压（MV）MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进功率沟槽工艺制造。该工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 21 A条件下，最大rDS(on) = 8.5 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 10 A条件下，最大rDS(on) = 24.8 mΩ
- 反向恢复电荷（Qrr）比其他MOSFET供应商的产品低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰（EMI）
- 采用MSL1级坚固封装设计
- 经过100%单脉冲雪崩耐量（UI1）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主直流-直流（DC-DC）MOSFET
- 直流-直流（DC-DC）和交流-直流（AC-DC）同步整流器
- 电机驱动
- 太阳能