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FDMC7680
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的功率和负载开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC7680
- 商品编号
- C463949
- 商品封装
- MLP(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.855nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款 N 沟道 MOSFET 采用仙童半导体公司先进的 Power Trench®工艺制造,该工艺经过特别优化,可最大程度降低导通电阻。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 14.8 A 时,最大 rDS(on) = 7.2 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 12.4 A 时,最大 rDS(on) = 9.5 m Ω
- 高性能技术实现极低的RDS(ON)
- 引脚无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
- DC - DC 降压转换器
- 笔记本电池电源管理
- 笔记本中的负载开关