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FDMC7680
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的功率和负载开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC7680
- 商品编号
- C463949
- 商品封装
- MLP(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.855nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMS7672AS专为最大限度降低电源转换应用中的损耗而设计。它结合了硅技术和封装技术的先进成果，在保持出色开关性能的同时，实现了极低的漏源导通电阻（rDS(on)）。该器件还具备高效的单片肖特基体二极管。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 18 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 4.0 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 7 V、漏极电流（ID） = 16 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 4.5 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合，实现低漏源导通电阻（rDS(on)）和高效率
- 同步场效应管肖特基体二极管
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器同步整流器
- 笔记本电脑Vcore/ GPU低端开关
- 网络负载点低端开关
- 电信次级侧整流