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FCP7N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
- 描述
- SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCP7N60
- 商品编号
- C463938
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.779克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
商品概述
SuperFET MOSFET是第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结(SJ)MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此,SuperFET MOSFET非常适合开关电源应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型值 RDS(on) = 530 mΩ
- 超低栅极电荷(典型值 Qg = 23 nC)
- 低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 60 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED/PDP电视
- 太阳能逆变器
- AC-DC电源