FDMA420NZ
1个N沟道 耐压:20V 电流:5.7A
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描述
此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的,可基于特制的 MicroFET 引线框架优化 RDS(on) @VGS=2.5V。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDMA420NZ商品编号
C463945商品封装
MicroFET-6(2x2)包装方式
编带
商品毛重
0.018克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@2.5V,5A | |
功率(Pd) | 2.4W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 600mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.8nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 701pF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 125pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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