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FDMA420NZ
1个N沟道 耐压:20V 电流:5.7A
- 描述
- 此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可基于特制的 MicroFET 引线框架优化 RDS(on) @VGS=2.5V。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA420NZ
- 商品编号
- C463945
- 商品封装
- MicroFET-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 701pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款单N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的功率沟槽工艺设计，可在特殊的MicroFET引线框架上优化VGS = 2.5 V时的RDS(on)。
商品特性
- VGS = 4.5 V、ID = 5.7 A时，RDS(on) = 30 mΩ
- VGS = 2.5 V、ID = 5.0 A时，RDS(on) = 40 mΩ
- 采用新型2x2 mm MicroFET封装，高度低至最大0.8mm
- 人体模型（HBM）静电放电保护等级典型值>2.5 kV
- 不含卤化物和氧化锑
- 符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组