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FCD4N60TM
1个N沟道 耐压:600V 电流:3.9A
- 描述
- SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCD4N60TM
- 商品编号
- C463935
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.368克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperFET MOSFET是第一代采用电荷平衡技术的高压超级结（SJ）MOSFET系列产品，具备出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。该技术旨在最小化导通损耗，同时提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 1.0 Ω
- 超低栅极电荷（典型值Qg = 12.8 nC）
- 低有效输出电容（典型值Coss.eff = 32 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 照明
- AC-DC电源
- 光伏逆变器