温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMS4916NR2G
1个N沟道 耐压:30V 电流:11.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷以最小化开关损耗。 针对5V、12V栅极驱动进行优化。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。 打印机
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMS4916NR2G
- 商品编号
- C463883
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.98W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.376nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 优化栅极电荷，以最小化开关损耗
- 针对5 V、12 V栅极驱动进行优化
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器-打印机