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NUP3115UPMUTAG
ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
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- 描述
- 三线电压瞬态抑制器阵列旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。该器件采用共阳极设计，可在单个六引脚超薄型UDFN封装中保护三条独立的高速数据线和一条VCC电源线。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。由于其电容较低，适用于USB 2.0高速等高频设计。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NUP3115UPMUTAG
- 商品编号
- C463886
- 商品封装
- UDFN-6(1.6x1.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5.5V | |
| 钳位电压 | 9.4V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | - | |
| 击穿电压 | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 三路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.8pF |
商品概述
三线电压瞬态抑制器阵列旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。该器件采用共阳极设计，可在单个六引脚超薄型UDFN封装中保护三条独立的高速数据线和一条VCC电源线。 出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于其电容较低，适用于如USB 2.0高速接口等高频设计。
商品特性
- 低电容0.8 pF
- UDFN封装，尺寸为1.6×1.6 mm
- 超薄设计，高度仅0.50 mm
- 耐受电压：5.5 V
- 低泄漏
- 可保护多达三条数据线和一个VCC引脚
- VCC引脚可提供15 V保护
- D1、D2和D3引脚至少可提供6.4 V保护
- 符合IEC61000 - 4 - 2标准：4级静电放电保护
- 无铅器件
应用领域
- USB 2.0高速接口
- 手机
- MP3播放器
- SIM卡保护