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ESD7371P2T5G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ESD7371P2T5G

ESD 5.3V截止

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描述
ESD7371系列旨在保护需要超低电容的电压敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度,非常适合射频(RF)应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合,使该器件非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
ESD7371P2T5G
商品编号
C463930
商品封装
SOD-923​
包装方式
编带
商品毛重
0.005克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
反向截止电压(Vrwm)5.3V
钳位电压15V;20V
击穿电压7V
反向电流(Ir)50nA
属性参数值
通道数单路
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容0.7pF

商品概述

ESD7371系列旨在保护需要超低电容的电压敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间,使这些器件成为电路板空间有限的设计中静电放电保护的理想选择。其在不同电压下具有行业领先的电容线性度,非常适合射频应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合,使该器件非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

商品特性

  • 行业领先的电压电容线性度
  • 低电容(最大0.7 pF,I/O到地)
  • 耐受电压:5.3V
  • 低泄漏电流:< 1 nA
  • 低动态电阻 < 1Ω
  • 符合IEC61000 - 4 - 2 4级静电放电保护标准
  • 可承受1000次IEC61000 - 4 - 2标准的静电放电冲击,±8kV接触/空气放电
  • 带有SZ前缀,适用于汽车和其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
  • 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准

应用领域

  • 射频信号静电放电保护
  • 射频开关、功率放大器和天线静电放电保护
  • 近场通信
  • USB 2.0、USB 3.0

数据手册PDF