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FDMC8622
耐压:100V 电流:16A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8622
- 商品编号
- C463717
- 商品封装
- Power33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 402pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在 VGS = 10 V、ID = 4 A 条件下,最大导通电阻 rDS(on) = 56 m Ω
- 在 VGS = 6 V、ID = 3 A 条件下,最大导通电阻 rDS(on) = 90 m Ω
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 采用广泛使用的表面贴装封装,具备高功率和大电流处理能力
- 经过100% UIL测试
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC主开关