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FDS2672
1个N沟道 耐压:200V 电流:3.9A
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- 描述
- 此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 UItraFET Trench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS2672
- 商品编号
- C463724
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,3.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.535nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款单N沟道MOSFET采用先进的UltraFET沟槽工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 3.9 A条件下，最大rDS(on) = 70 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 3.5 A条件下，最大rDS(on) = 80 mΩ
- 开关速度快
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的rDS(on)
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换