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FDMS7670AS
1个N沟道 耐压:30V 电流:42A
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- 描述
- N沟道,30V,42A,3mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7670AS
- 商品编号
- C463719
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@7V,19A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.225nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的漏源电阻（RDS）-栅极电荷（Q_g）品质因数（FOM）
- 针对最低的漏源电阻（RDS）-输出电容电荷（Q_oss）品质因数进行优化
- 100%进行栅极电阻（R_g）和非钳位电感开关（UIS）测试
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-太阳能微型逆变器-电机驱动开关-电池和负载开关-工业应用