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FDPF2710T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDPF2710T

1个N沟道 耐压:250V 电流:25A

描述
此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的,该工艺适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDPF2710T
商品编号
C463723
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.988克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))42.5mΩ@10V,25A
耗散功率(Pd)62.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)101nC@125V
输入电容(Ciss)7.28nF@25V
反向传输电容(Crss)146pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 导通状态下的漏源电阻 RDS(on) = 1.46 mΩ(典型值),条件为栅源电压 VGS = 10 V,漏极电流 ID = 80 A
  • 总栅极电荷 QG(tot) = 345 nC(典型值),条件为栅源电压 VGS = 10 V
  • 低米勒电荷
  • 低反向恢复电荷 Qrr 的体二极管
  • 具有单脉冲和重复脉冲的非钳位感性开关(UIS)能力
  • 可保证 160 A 电流持续 2 秒
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

-电动工具-电机驱动器和不间断电源-同步整流-电池保护电路

数据手册PDF