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FDMC8554
1个N沟道 耐压:20V 电流:16.5A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是先进的 Power Trench 工艺的坚固门极版本。它经过了优化，可实现高开关性能和极低 RDS(ON)。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8554
- 商品编号
- C463716
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,16.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.54nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 510pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用安森美半导体（onsemi）先进的POWERTRENCH技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。
商品特性
- 栅源电压为 -10 V、漏极电流为 -4.4 A 时，最大漏源导通电阻为 67 mΩ
- 栅源电压为 -6 V、漏极电流为 -3.6 A 时，最大漏源导通电阻为 89 mΩ
- 极低的导通电阻（RDS-On）中压P沟道硅技术，针对低栅极电荷（Qg）进行优化
- 本产品针对快速开关应用以及负载开关应用进行了优化
- 经过100%单脉冲雪崩能量（UIL）测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-有源钳位开关-负载开关