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FDP027N08B-F102
1个N沟道 耐压:80V 电流:223A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP027N08B-F102
- 商品编号
- C463721
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.903克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 223A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.21mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 246W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 178nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.53nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，最大限度地降低导通电阻。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 100 A条件下，RDS(on) = 2.21 mΩ（典型值）
- 低品质因数RDS(on) * QG
- 低反向恢复电荷，Qrr = 112 nC
- 软反向恢复体二极管
- 可实现同步整流的高效率
- 快速开关速度
- 经过100% UI L测试
- 该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源