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FDD7N60NZTM
1个N沟道 耐压:600V 电流:5.5A
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- 描述
- N沟道,600V,5.5A,1.25Ω@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD7N60NZTM
- 商品编号
- C463713
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.371克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 730pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- RDS(on) = 1.05 Ω(典型值)@ VGS = 10 V, ID = 2.75 A
- 低栅极电荷(典型值13 nC)
- 低 C\text rss(典型值7 pF)
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 增强的ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 照明
- 不间断电源