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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD7N60NZTM

1个N沟道 耐压:600V 电流:5.5A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
N沟道,600V,5.5A,1.25Ω@10V
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD7N60NZTM
商品编号
C463713
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.371克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)5.5A
导通电阻(RDS(on))1.05Ω@10V,2.75A
耗散功率(Pd)90W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)730pF@25V
反向传输电容(Crss)10pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 通常情况下,当栅源电压 VGS 为 10 伏且漏极电流 ID 为 80 安培时,导通电阻 RDS(on) 为 2.4 毫欧。
  • 通常情况下,当栅源电压 VGS 为 10 伏且漏极电流 ID 为 80 安培时,总栅极电荷 Qg(tot) 为 86 纳库。
  • 它具备单脉冲雪崩能量功能。
  • 它符合 RoHS 标准。

应用领域

  • 工业电机驱动器
  • 工业电源供应设备
  • 工业自动化
  • 电池驱动工具
  • 电池保护装置
  • 太阳能逆变器
  • 电源不间断供应器和能量逆变器
  • 能量存储
  • 负载开关

数据手册PDF