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FCD2250N80Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:2.6A
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- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCD2250N80Z
- 商品编号
- C463705
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.25Ω@10V,1.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 585pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.75pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适用于音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源等开关电源应用。
商品特性
- 导通电阻RDS(on) = 1.8 Ω（典型值）
- 超低栅极电荷（典型值Qg = 11 nC）
- 低输出存储能量Eoss（400V时典型值1.1 μJ）
- 低有效输出电容（典型值Coss(eff.) = 51 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 改进了静电放电（ESD）能力
应用领域
- 交流 - 直流电源
- LED照明