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FQP17P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:17A
- 描述
- 此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP17P06
- 商品编号
- C463491
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.746克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,8.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 79W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SupreMOS MOSFET是采用深槽填充工艺的下一代高压超结（SJ）技术，使其有别于传统的SJ MOSFET。这种先进的技术和精确的工艺控制可实现最低的比导通电阻（Rsp）、卓越的开关性能和坚固性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关功率转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 在结温（T_J） = 150°C时，漏源击穿电压（BVDSS） > 650 V
- 在栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 11 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 140 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型栅极电荷（Q_g） = 45 nC）
- 低有效输出电容（典型有效输出电容（C_oss(eff.)） = 196.4 pF）
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 等离子电视（PDP TV）
- 太阳能逆变器
- 交流 - 直流电源