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NTHD4508NT1G
2个N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 功率 MOSFET，20 V，4.1 A，双 N 沟道，ChipFET
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHD4508NT1G
- 商品编号
- C463634
- 商品封装
- SMD-8P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.13W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)）和快速开关速度
- 无引脚ChipFET封装比TSOP-6封装的占位面积小40%
- 在需要热传递的场合具有出色的散热能力
- 提供无铅封装
应用领域
- 直流-直流降压/升压转换器
- 便携式设备（如MP3播放器、手机、数码相机和个人数字助理）中的电池和低端开关应用
- 电平转换