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FQP11P06
FQP11P06
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP11P06
- 商品编号
- C463490
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条形DMOS技术制造。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低电压应用，如汽车、DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关。
商品特性
- 11.4 A,-60 V,RDS(导通) = 175 mΩ(最大值)@ VGS = -10 V,ID = -5.7 A
- 低栅极电荷(典型值13 nC)
- 低Crss(典型值45 pF)
- 100%雪崩测试
- 最高结温额定值175°C
应用领域
-汽车-DC/DC转换器-便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关