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FDH047AN08A0
1个N沟道 耐压:75V 电流:80A
- 描述
- N 沟道，PowerTrench MOSFET，75V，80A，4.7mΩ
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDH047AN08A0
- 商品编号
- C463463
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.98克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- RDS(ON) = 4.0 mΩ（典型值），VGS = 10 V，ID = 80 A
- Qg(tot) = 92 nC（典型值），VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动器和不间断电源