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FDMC86520DC
耐压:60V 电流:40A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86520DC
- 商品编号
- C463464
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.084克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@10V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.79nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造。结合了硅技术和Dual Cool™封装技术的优势，在保持出色开关性能的同时，通过极低的结到环境热阻实现了最低的导通电阻rDS(on)。
商品特性
- Dual Cool™顶部散热PQFN封装
- VGS = 10 V、ID = 17 A时，最大导通电阻rDS(on) = 6.3 mΩ
- VGS = 8 V、ID = 14.5 A时，最大导通电阻rDS(on) = 8.7 mΩ
- 采用高性能技术，实现极低的导通电阻rDS(on)
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主DC-DC开关
- 电机桥接开关
- 同步整流器