温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDA38N30
1个N沟道 耐压:300V 电流:38A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDA38N30
- 商品编号
- C463458
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMC7572S专为最大限度减少电源转换应用中的损耗而设计。结合了硅工艺和封装技术的先进成果，在保持出色开关性能的同时，实现了极低的漏源导通电阻（rDS(on)）。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 19 A条件下,RDS(on) = 70 m Ω(典型值)
- 低栅极电荷(典型值60 nC)
- 低Crss(典型值60 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 增强的ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- PDP电视
- 不间断电源
- 交流-直流电源