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FDA38N30
1个N沟道 耐压:300V 电流:38A
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- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDA38N30
- 商品编号
- C463458
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,19A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMC7572S专为最大限度减少电源转换应用中的损耗而设计。结合了硅工艺和封装技术的先进成果，在保持出色开关性能的同时，实现了极低的漏源导通电阻（rDS(on)）。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 22.5 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 3.15 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 18 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 4.7 mΩ
- 先进的封装与硅工艺结合，实现低漏源导通电阻（rDS(on)）和高效率
- 同步场效应晶体管（SyncFET）肖特基体二极管
- 100%进行UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 笔记本电脑Vcore/ GPU低端开关
- 网络负载点低端开关
- 电信二次侧整流