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NTD4302T4G
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.4A 电流:68A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD4302T4G
- 商品编号
- C463399
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.337克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V,68A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF@24V | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF@24V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 当栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 5.4 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 34 mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 6 V、漏极电流（ID） = 4.8 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 44 mΩ
- 极低漏源导通电阻（rDS(on)）的高性能技术
- 100%通过UIL1测试
- 引脚无铅
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换