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FDMQ8403
4个N沟道 耐压:100V 电流:6A
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- 描述
- 高效桥式整流器，与二极管桥相比，此四 MOSFET 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMQ8403
- 商品编号
- C463246
- 商品封装
- MLP-12(4.5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.101克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 215pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 |
商品概述
这款四通道MOSFET解决方案的功耗相比二极管电桥降低至原来的十分之一。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 3 A的条件下,最大rDS(on) = 110 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 2.4 A的条件下,最大rDS(on) = 175 mΩ
- 在电源分配(PD)解决方案中具有显著的效率优势
- 该器件无铅、无卤,符合RoHS标准
应用领域
- 高效桥式整流器