温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDZ1323NZ
2个N沟道 耐压:20V 电流:10A
- 描述
- 此器件专门设计为锂电子电池组保护电路和其他超便携应用中的单封装解决方案。它具有两个共漏极 N 沟道 MOSFET，可实现双向电流流向，基于先进的 PowerTrench 工艺以及“低间距”WLCSP 封装工艺，FDZ1323NZ 可最大程度减小 PCB 空间和 rS1S2(on)。这种先进的 WLCSP MOSFET 体现了封装技术的突破，使得该器件能够将优异的传热特性、超小型封装、低门极电荷和低 rS1S2(on) 等诸多性能结合在一起。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ1323NZ
- 商品编号
- C463251
- 商品封装
- WLCSP-6(1.3x2.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@3.1V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.055nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 380pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
该器件专为锂离子电池组保护电路和其他超便携式应用设计，是一款单封装解决方案。它采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺和先进的“小间距”晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）工艺，集成了两个共漏N沟道MOSFET，可实现双向电流流动。FDZ1323NZ不仅能最小化印刷电路板（PCB）占用空间，还能降低源极1 - 源极2导通电阻（rS1S2(on)）。这种先进的WLCSP MOSFET代表了封装技术的重大突破，具备出色的热传导特性、超薄封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)等优势。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V、IS1S2 = 1 A时，最大rS1S2(on) = 13 mΩ
- 在VGS = 3.8 V、IS1S2 = 1 A时，最大rS1S2(on) = 13 mΩ
- 在VGS = 3.1 V、IS1S2 = 1 A时，最大rS1S2(on) = 16 mΩ
- 在VGS = 2.5 V、IS1S2 = 1 A时，最大rS1S2(on) = 18 mΩ
- 仅占用3mm²的PCB面积
- 超薄封装：安装到PCB上时高度小于0.35 mm
- 高功率和电流处理能力
- 人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护等级 >3.6 kV
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电池管理-负载开关-电池保护