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FGP20N60UFDTU
600 V、20 A场截止型IGBT
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- 描述
- 采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，仙童半导体的场截止IGBT为太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、焊机和功率因数校正（PFC）应用提供了最佳性能，这些应用对低导通损耗和开关损耗有严格要求。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGP20N60UFDTU
- 商品编号
- C463254
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 耗散功率(Pd) | 165W | |
| 输出电容(Coes) | 110pF | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.4V@20A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 13ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 87ns | |
| 导通损耗(Eon) | 380uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 260uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 35ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 40pF |