温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMS003N08C
1个N沟道 耐压:80V 电流:147A
- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS003N08C
- 商品编号
- C463247
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.153333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 147A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V,56A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.35nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单