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FDMS9600S
FDMS9600S
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS9600S
- 商品编号
- C463249
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.108克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.705nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
该器件在独特的双Power 56封装中集成了两个专用MOSFET。其旨在从效率和PCB利用率方面提供最佳的同步降压功率级。低开关损耗的“高端”MOSFET与低传导损耗的“低端”同步场效应晶体管（SyncFET）相辅相成。
商品特性
- Q1：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 12 A时，最大rDS(on) = 8.5 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 10 A时，最大rDS(on) = 12.4 mΩ
- Q2：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 16 A时，最大rDS(on) = 5.5 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 14 A时，最大rDS(on) = 7.0 mΩ
- 高端MOSFET栅极电荷（Qg）低
- 低端MOSFET导通电阻（rDS(on)）低
- 双Power 56封装散热效率高
- 引脚布局针对简单PCB设计进行了优化
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适用于以下场景的同步降压转换器：
- 笔记本电脑系统电源
- 通用负载点