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FDBL0260N100
1个N沟道 耐压:100V 电流:200A
- 描述
- N 沟道，PowerTrench MOSFET，100V，200A，2.6mΩ
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDBL0260N100
- 商品编号
- C463238
- 商品封装
- MO-299A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.175nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
应用领域
- 工业电机驱动-工业电源-工业自动化-电池供电工具-电池保护-太阳能逆变器-UPS和能量逆变器-能量存储-负载开关