温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDC365P
1个P沟道 耐压:35V 电流:4.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- P沟道,-35V,-4.3A,55mΩ@-10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC365P
- 商品编号
- C463239
- 商品封装
- SSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 35V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 705pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用仙童半导体公司专有的PowerTrench®技术制造，可实现低导通电阻rDS(on)和优化的Bvdss能力，在应用中提供卓越的性能优势。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -4.2 A时,最大导通电阻rDS(on) = 55 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -3.2 A时,最大导通电阻rDS(on) = 80 mΩ
- 符合RoHS标准
应用领域
-逆变器-电源