温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMC86139P
1个P沟道 耐压:100V 电流:15A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86139P
- 商品编号
- C463243
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.335nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 优化栅极电荷，以最小化开关损耗
- NVTFS4C13NWF - 可焊侧翼产品
- NVT前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），且符合RoHS标准