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FDMC86139P
1个P沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86139P
- 商品编号
- C463243
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.335nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在 VGS = -10 V、ID = -4.4 A 时,最大 rDS(on) = 67 m Ω
- 在 VGS = -6 V、ID = -3.6 A 时,最大 rDS(on) = 89 m Ω
- 极低导通电阻的中压P沟道硅技术,针对低栅极电荷(Qg)进行优化
- 本产品针对快速开关应用以及负载开关应用进行了优化
- 经过100%单脉冲雪崩能量(UIL)测试
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
-有源钳位开关-负载开关