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FDMC8651
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A 电流:15A
- 描述
- 此器件专为提高 DC/DC 转换器的效率而设计。使用 MOSFET结构中的新技术，对门极电荷和电容的各种组件进行了优化，以减少开关损耗。低门极电阻和极低的 Miller 电荷可使自适应和固定死区时间门极驱动电路具有出色的性能。维持极低的 rDS(on)，以提供子逻辑电平器件。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8651
- 商品编号
- C463244
- 商品封装
- Power-33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.1mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.365nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
30 V、20 A、6.1 mΩ
商品特性
- 在VGS = 4.5 V、ID = 15 A条件下，最大rDS(on) = 6.1 mΩ
- 在VGS = 2.5 V、ID = 12 A条件下，最大rDS(on) = 9.3 mΩ
- 低外形——Power 33封装最大高度1 mm
- 100%进行UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流器
- 3.3 V输入同步降压开关