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HUF75639S3ST
1个N沟道 耐压:100V 电流:56A
- 描述
- 此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用创新的 UltraFET 工艺生产的。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品中的功率管理。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75639S3ST
- 商品编号
- C463041
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.678克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 56A、100V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和Saber热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- TB334《表面贴装元件焊接到印刷电路板的指南》
应用领域
-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理