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HUF75639S3ST
1个N沟道 耐压:100V 电流:56A
- 描述
- 此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用创新的 UltraFET 工艺生产的。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品中的功率管理。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75639S3ST
- 商品编号
- C463041
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.678克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
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