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FCMT299N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能逆变器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装（高 1mm），体积和占位都极小 (8x8 mm2)。SuperFET II MOSFET 采用 Power88 封装，具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源，可提供出色的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCMT299N60
- 商品编号
- C463232
- 商品封装
- Power-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.262克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 299mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.948nF@380V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.87pF@380V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适合用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能逆变器应用。 Power88封装是一种超薄表面贴装封装（高度为1 mm），外形低矮，占用空间小（8x8 mm²）。采用Power88封装的SuperFET II MOSFET由于具有较低的寄生源极电感以及独立的功率和驱动源，因此具备出色的开关性能。Power88封装的湿度敏感度等级为1级（MSL 1）。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- RDS(on) = 250 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型值Qg = 39 nC）
- 低有效输出电容（典型值Coss(eff.) = 127 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 服务器和电信电源-太阳能逆变器-适配器