我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
FCMT299N60实物图
  • FCMT299N60商品缩略图
  • FCMT299N60商品缩略图
  • FCMT299N60商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FCMT299N60

1个N沟道 耐压:600V 电流:12A

描述
SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗,提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用,如服务器/电信电源、适配器和太阳能逆变器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装(高 1mm),体积和占位都极小 (8x8 mm2)。SuperFET II MOSFET 采用 Power88 封装,具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源,可提供出色的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FCMT299N60
商品编号
C463232
商品封装
Power-88​
包装方式
编带
商品毛重
0.262克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))299mΩ@10V,6A
耗散功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)39nC@10V
输入电容(Ciss)1.948nF@380V
反向传输电容(Crss)4.87pF@380V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

交货周期

订货65-67个工作日

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 3000 个)
起订量:3000 个3000个/圆盘

总价金额:

0.00

近期成交0