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FCP22N60N
FCP22N60N
- 描述
- N沟道,600V,22A,165mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCP22N60N
- 商品编号
- C463234
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 结温T\textJ = 150°C时,漏源击穿电压BV\textDSS > 650 V
- 栅源电压VGS = 10 V、漏极电流ID = 11 A时,导通电阻RDS(on) = 140 mΩ(典型值)
- 超低栅极电荷(典型值 Qq = 45 nC )
- 低有效输出电容(典型值 C\text oss(eff.) = 196.4 pF )
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED/PDP电视
- 照明
- 太阳能逆变器
- AC-DC电源