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FDA24N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:24A
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- 描述
- N沟道,500V,24A,190mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDA24N50
- 商品编号
- C463235
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 270W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.15nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 国际标准封装
- 低漏源极导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）
- 阀值电流额定
- 低封装电感
- 高功率密度
- 安装简便
- 节省空间
应用领域
- 脉冲模式和谐振模式电源
- 直流-直流转换器
- 功率因数校正电路
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人技术与伺服控制