温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFS4C55NT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:11.9A
- 描述
- 特性：低 RDS(on) 以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 优化栅极电荷以最小化开关损耗。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：CPU 电源供应。 DC-DC 转换器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4C55NT1G
- 商品编号
- C463191
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.200039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.972nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单