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FCH165N60E
1个N沟道 耐压:600V 电流:23A
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- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET easy-drive 系列与 SuperFET II MOSFET 系列相比，提供了略慢的升降时间。此系列通过“E”零件编号后缀表示，有助于管理 EMI 问题，和简化设计实施。对于必须绝对保证开关损耗最小的更快开关应用中，请考虑 SuperFET II MOSFET 系列。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH165N60E
- 商品编号
- C463231
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.434nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPERFET II MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低导通损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，与SUPERFET II MOSFET系列相比，SUPERFET II MOSFET易驱动系列的上升和下降时间略慢。该系列产品型号后缀为“E”，有助于解决电磁干扰（EMI）问题，便于设计实现。对于要求开关损耗极低的快速开关应用，请考虑选用SUPERFET II MOSFET系列。
商品特性
- 典型导通电阻RDS(on) = 132 mΩ
- 在结温TJ = 150°C时耐压为650 V
- 超低栅极电荷(典型值Qg = 57 nC)
- 低有效输出电容(典型值Coss(eff.) = 204 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源
- 工业电源