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FCH165N60E实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FCH165N60E

1个N沟道 耐压:600V 电流:23A

描述
SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET easy-drive 系列与 SuperFET II MOSFET 系列相比,提供了略慢的升降时间。此系列通过“E”零件编号后缀表示,有助于管理 EMI 问题,和简化设计实施。对于必须绝对保证开关损耗最小的更快开关应用中,请考虑 SuperFET II MOSFET 系列。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FCH165N60E
商品编号
C463231
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
6.83克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)23A
导通电阻(RDS(on))165mΩ@10V,11.5A
耗散功率(Pd)227W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)75nC@10V
输入电容(Ciss)2.434nF@380V
反向传输电容(Crss)8.6pF@380V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

交货周期

订货49-51个工作日

购买数量

(5000个/管,最小起订量 10000 个)
起订量:10000 个5000个/管

总价金额:

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