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MVGSF1N02LT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:750mA
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- 描述
- 汽车用功率 MOSFET。此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型功率管理电路。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MVGSF1N02LT1G
- 商品编号
- C463102
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 125pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款 N 沟道增强型功率 MOSFET 采用专有的平面条形和 DMOS 技术制造。这种先进的 MOSFET 技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
商品特性
- 低 RDS(ON) 提供更高的效率并延长电池寿命
- 微型SOT - 23表面贴装封装节省电路板空间
- MVGSF前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话)的电源管理